| 品牌 | 其他品牌 | 材质 | 铸铁 |
|---|---|---|---|
| 连接形式 | 螺纹 | 类型 | 直通式 |
| 适用介质 | 油品 | 流动方向 | 换向 |
| 零部件及配件 | 定位器 | 用途 | 补水 |
| 标准 | 日标 | 形态 | 鸭嘴式 |
| 压力环境 | 常压 | 工作温度 | 常温 |
| 公称通径 | 32mm |
R900538825
Z2FS 6-2-4X/1Q MIL15
R987420211
Z2FS 6-2-4X/1Q SO026-755
R900576448
Z2FS 6-2-4X/1Q=LB
R900975705
Z2FS 6-2-4X/1Q=MG
R901435770
Z2FS 6-2-4X/1QJ3/60
R901435773
Z2FS 6-2-4X/1QJ3V/60
R901435948
Z2FS 6-2-4X/1QJ5/60
R901435951
Z2FS 6-2-4X/1QJ5V/60
R900481623
Z2FS 6-2-4X/1QV
R900481622
Z2FS 6-2-4X/2Q
R900443781
Z2FS 6-2-4X/2Q MIL15
R901435955
Z2FS 6-2-4X/2QJ3/60
R901435983
Z2FS 6-2-4X/2QJ3V/60
R901435982
Z2FS 6-2-4X/2QJ5/60
R901435984
Z2FS 6-2-4X/2QJ5V/60
R900481624
Z2FS 6-2-4X/2QV
R900727967
Z2FS 6-2-4X/2QV/60
R901110659
Z2FS 6-2-4X/2QV/62
R900577051
Z2FS 6-2-4X/2QV=LB
R901222502
Z2FS 6-2-4X=1QV
R900426752
Z2FS 6-3-4X/1Q
R900586224
Z2FS 6-3-4X/1QV
小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，这就需要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成。
5、高频特性。随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。
6、低功耗。很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯片，指南针等等。
发展历程.
磁传感器的发展,在上世纪70~80 年代形成高潮。90 年代是已发展起来的这些磁传感器的成熟和完善的时期。
(1) 集成电路技术的应用。将硅集成电路技术用于磁传感器,开始于1967 年。Honeywell 公司Mi2croswitch 分部的科技人员将Si 霍尔片和它的讯号处理电路集成到一个单芯片上,制成了开关电路,首开了单片集成磁传感器之先河。已经出现了磁敏电阻电路、巨磁阻电路等许多种功能性的集成磁传感器。
(2) InSb 薄膜技术的开发成功,使InSb 霍尔元件产量大增,成本大幅度下降。最先运用这种技术获得成功的日本旭化成电子公司,如今可年产5 亿只以上。
(3) 强磁性合金薄膜。1975 年面市的强磁合金薄膜磁敏电阻器利用的是强磁合金薄膜中的磁敏电阻各向异性效应。在与薄膜表面平行的磁场作用下,以坡莫合金为代表的强磁性合金薄膜的电阻率呈现出2 [%]~5 [%]的变化。利用这种效应已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻桥已大量用于磁编码器中,用来检测和控制电机的转速。此外,还作成了磁阻磁强计、磁阻读头以及二维、三维磁阻器件等。它们可检测10 - 10~10 - 2 T 的弱磁场,灵敏度高、温度稳定性好, 将成为弱磁场传感和检测的重要器件。
(4) 巨磁电阻多层膜。由不同金属、不同层数和层间材料的不同组合,可以制成不同的机制的巨磁电阻(giant magneto - resistance) 磁传感器。它们呈现出的随磁场而变化的电阻率,比单层的各向异性磁敏电阻器的要高出几倍,正受到研制高密度记录磁盘读出头的科技人员的极大关注，已见有5 G字节的自旋阀头的设计分析的报导。
(5) 各种不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各种处理工艺的引入,给磁传感器的研制注入了新的活力,已研制和生产出了双芯多谐振荡桥磁传感器、非晶力矩传感器、压力传感器、热磁传感器、非晶大巴克豪森效应磁传感器等[4 ] 。发现的巨磁感应效应(giant magneto inductive effect) 和巨磁阻抗效应(giant magneto - impedance effect) ,比巨磁电阻的响应灵敏度高一个量级,可能做成磁头,成为高密度磁盘读头的有力竞争者。利用非晶合金的高导磁率特性和可做成细丝的机械特性,将它们用于磁通门和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半导体异质结构材料。例如,在InP 衬底上用分子束外延技术生长In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶结构,产生二维电子气层,其层厚是分子级的,这种材料的能带结构发生改变。用这种材料来制作霍尔元件,其灵敏度高于市售的
